類別  分立半導體產(chǎn)品晶體管-FET,MOSFET-單個
制造商 lnfineon  Technologies
系列HEXFET
包裝 卷帶（TR）剪切帶（CT）DIgi-Reel
零件狀態(tài) 在售
FET  類型  P  通道
技術  MOSFET  (金屬氧貨物)
漏源電壓（VDSS） 55 V
25℃時電流--連續(xù)漏極（ID）31A (Tc)
驅(qū)動電壓（最大 Rds on, 最小Rds on,）10V
不同 Id ‘vgs  時導通電阻（最大值）65 豪歐@16A，10V
不同 Id時 ‘vgs  （th）（最大值）4V@ 250
不同 Id ‘vgs  時柵極電荷（Qg）（最大值）63 nc @10V
vgs(最大值)+20V
不同 Id ‘vgs 時輸入電容（ciss）(最大值)1200pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）110W（TC）
工作溫度-55℃~175℃（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3,DPak (2引線+接片)，SC-63
基本產(chǎn)品編號  IRFR5305